Toote identifitseerimine
|
Üksus |
Spetsifikatsioon |
|
Toote nimi |
G4 vesinikfluoriidhape (HF) |
|
Toote kategooria |
Pooljuhtelektrooniline märgkemikaal |
|
Keemiline nimetus |
Vesinikfluoriidhape |
|
Keemiline valem |
HF |
|
CAS nr. |
7664-39-3 |
|
Molekulmass |
20.01 |
|
ÜRO number |
1790 |
|
Hinne |
SEMI G4 Ultra-Kõrge puhtusastmega elektrooniline kvaliteet |
Toote ülevaade
G4 vesinikfluoriidhape on kõrge -puhtusastmega fluor-põhine anorgaaniline hape, mis on rafineeritud eranditult täiustatud pooljuhtplaatide tootmiseks ja mikroelektroonika tootmiseks. Tänu mitmeastmelisele -ultra-puhastusele, korrosioonivabale-filtreerimisele ja klassi 1000 puhta-ruumi täitmise tehnoloogiale on tootel ülimalt-vähe metallijääk, anioonsete lisandite ja mikro{10}}osakeste sisaldus, mis vastab täielikult rangetele SEMI G4 rahvusvahelistele standarditele.
Tuuma selektiivse söövitus- ja puhastusmärgkemikaalina pooljuhtide esiotsa{0}}protsessides on sellel suurepärane ränioksiidikihtide söövitamise selektiivsus, kahjustades samal ajal ränisubstraate ja nitriidkilesid. Range lisandite kontroll väldib tõhusalt mikro-saastumist ja vahvlidefekte, tagades kõrge tootlikkuse ja pikaajalise stabiilsuse täiustatud kiibi tootmisprotsessidele.
Välimus:Värvitu, selge ja läbipaistev lenduv vedelik
Tehnilised spetsifikatsioonid (SEMI G4 standard)
|
Testitav element |
Spetsifikatsioon |
|
HF test |
48,5–49,5 massiprotsenti |
|
Välimus |
Värvitu ja selge läbipaistev vedelik |
|
Värv (APHA) |
Väiksem või võrdne 5-ga |
|
Tihedus @ 20 kraadi |
1,15 ~ 1,18 g/cm³ |
|
Aurustumise jääk |
Vähem kui 30 ppb või sellega võrdne |
|
Üksikud metallid (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Igaüks neist on väiksem või võrdne 10 ppb |
|
Fluusiliinhape (H₂SiF₆) |
Vähem kui 10 ppm või sellega võrdne |
|
Sulfaat (SO₄²⁻) |
Vähem kui 30 ppb või sellega võrdne |
|
Nitraat (NO₃⁻) |
Vähem kui 30 ppb või sellega võrdne |
|
Kloriid (Cl⁻) |
Vähem kui 30 ppb või sellega võrdne |
|
Osakesed 0,2 μm või suuremad |
Vähem kui 100 tk/ml või sellega võrdne |
Märkus.Kõik testiandmed põhinevad partii{0}}spetsiifilisel COA-l (analüüsisertifikaat).
Rakendused (pooljuhtide märgprotsess)
Vahvli natiivse oksiidi eemaldamine:Eemaldage räniplaadi pindadelt natiivse ränioksiidi ja jääkoksiidi saasteained räni aluspinda kahjustamata, optimeerides pinna seisukorda sadestamise, litograafia ja söövitamise protsesside jaoks.
Täppis-selektiivne söövitus:Kasutatakse SiO₂ dielektriliste kihtide, väravaoksiidi kihtide ja õhukeste kilekihtide peeneks söövitamiseks IC-tootmises, millel on kõrge söövituse ühtlus ja suurepärane protsessi juhitavus, et tagada mustri täpne ülekandmine.
RCA märgpuhastusprotsess:Toimib modifitseeritud RCA puhastuslahuste põhikomponendina, et eemaldada vahvlipindadelt mikro-osakesed, ioonsed lisandid ja orgaanilised jäägid, parandades vahvlite üldist puhtust.
Täiustatud pakkimis- ja MEMS-protsess:Kasutatakse MEMS-seadmete, pooljuhtandurite ja täiustatud kiibipakendite komponentide pinnatöötluseks, mikro{0}söövitamiseks ja lisandite eemaldamiseks, kohandudes kõrgete-täpse mikroelektroonika tootmisnõuetega.
Pakendamise ja täitmise standard
Pakendi tüüp:Korrosioonikindel -PTFE-vooderdatud / puhas- HDPE tihendatud trummel, spetsiaalne HF kemikaali pakend
Ühine spetsifikatsioon:25 kg / 30 kg väike trummel, 1000 kg korrosioonikindel IBC-kott
Täitmiskeskkond:Klass 1000 puhas ruum, täielikult korrosioonivaba-tootmis- ja täitesüsteem, null sekundaarset saastumist
Tihendusstandard:Spetsiaalne lendumis- ja lekkevastane-struktuur, mis hoiab ära lenduvate kadude ja välise saastumise
Säilitamine ja säilivusaeg
● Hoida jahedas, kuivas, ventileeritavas fluorikeemia laos, tihedalt suletuna, otsese päikesevalguse, kõrge temperatuuri ja soojusallikate eest kaitstult.
● Keemilise korrosiooni ja kehtetu reaktsiooni vältimiseks isoleerige rangelt klaastoodetest, leeliselistest ainetest, oksüdeerijatest ja metallmaterjalidest.
● Keelake pikaajaline{0}}avatud ladustamine, et vältida lenduvat riknemist ja niiskuse neeldumist soodustavat saastumist.
● Säilivusaeg:12 kuud standardsetes suletud säilitustingimustes
Käsitsemine ja ohutusmeetmed
● Vesinikfluoriidhape on väga söövitav ja lenduv. Operaatorid peavad kandma professionaalseid toetavaid isikukaitsevahendeid: fluori{1}}kindlaid kindaid, täielikult suletud kemikaaliprille, korrosioonikindlat-põlle ja kaitseriietust.
● Kõik toimingud tuleb läbi viia professionaalsetes tõmbekappides; vältida lenduvate gaaside sissehingamist ja otsest kokkupuudet naha, silmade ja limaskestadega.
● Lahjendamise ja doseerimise ajal lisage aeglaselt hapet deioniseeritud vette; Ärge kunagi lisage kontsentreeritud vesinikfluoriidhappele vett, et vältida pritsmeid ja õnnetusi.
● Juhusliku kokkupuute või lekke korral tuleb viivitamatult kasutusele võtta spetsiaalsed esmaabi{0}}meetmed ja järgida rangelt SDS-i hädaolukorras kõrvaldamise juhiseid.
● Täieliku ohuklassifikatsiooni, transpordieeskirjade ja{0}}esmaabiprotseduuride kohta vaadake ametlikku ohutuskaardi dokumenti.
Kvaliteedi tagamine
Iga G4 vesinikfluoriidhappe partii toodetakse, puhastatakse ja kontrollitakse rangelt vastavalt SEMI G4 rahvusvahelistele pooljuhtide standarditele. Igale saadetisele on lisatud partii-spetsiifiline ametlik COA. Kogu tootmis- ja täitmisprotsess hõlmab ranget puhta-ruumi saastumise kontrolli ja korrosioonikindlat-protsessijuhtimist, tagades üli-kõrge puhtuse ja stabiilse kvaliteedi, mis vastab täiustatud pooljuhtide märgtootmisprotsesside rangetele nõuetele.
Kuum tags: elektroonikakeemia g4 vesinikfluoriidhape (pooljuhtmärgkemikaal), Hiina elektroonikakeemia g4 vesinikfluoriidhape (pooljuhtmärgkemikaal) tootjad, tarnijad, tehas